层状 MoS2 晶体诱导的宽带 THz 脉冲发射效率的兆子位移电流
材料科学
2026-03-30 v2 光学
摘要
在半导体中发生超快光激发后,光生载流子、高度能量兆子态以及电子空穴液体之间存在竞争性动力学。本文表明, femtosecond 光脉冲激发可诱导transient性兆子位移电流,强化单晶 MoS2 低温下的 THz 发射。通过在不同温度下 varying excitation density 的实验阐明了主导兆子位移电流的控制机制。在 20K 低温下,当激光 fluence 超过 150μJ/cm² 的临界值后,兆子贡献显著降低。这一行为表明在兆子密度极大的情况下(即兆子对之间的平均间距相当于兆子半径),一种新型量子凝聚体,即电子空穴液体的形成。进一步,兆子密度随温度变化的 THz 发射符合 Varshni 模型,晶体 Debye 温度为 260K。
关键词
引用
@article{arxiv.2511.08166,
title = {Excitonic shift current induced broadband THz pulse emission efficiency of layered MoS2 crystals},
author = {Neetesh Dhakar and Sunil Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.08166},
year = {2026}
}
备注
19 pages including 11 figures