石墨烯 - 半导体结构中的激子等离激元极化激元
介观与纳米尺度物理
2015-06-19 v2
摘要
我们研究了单层电荷掺杂石墨烯中的等离激元与通过势垒隔开的窄带隙半导体量子阱中的激子之间的强耦合。我们表明，激子与等离激元之间的库仑相互作用导致了混合态，其哈密顿量类似于激子极化激元，并推导了依赖于系统参数的激子 - 等离激元耦合常数。我们数值计算了几种半导体材料的激子 - 等离激元极化激元色散分支的 Rabi 分裂，发现其值可达 50 - 100 meV。
引用
@article{arxiv.1406.2072,
title = {Exciton-plasmaritons in graphene-semiconductor structures},
author = {Kirill A. Velizhanin and Tigran. V. Shahbazyan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.2072},
year = {2015}
}
备注
accepted to Phys. Rev. B