$e^+e^-$湮灭中激发态夸克侵入子生产：基于光锥框架

本文在光锥框架下分析了激发态向量与伪标量夸克侵入子在$\epem$湮灭中的生产。具体计算了散射截面$\epem \to \psi(2S)\eta_c(1S)$, $\psi(1S)\eta_c(2S)$, $\psi(2S)\eta_c(2S)$。结果表明，与非相对论量子色力学(NRQCD)不同，光锥框架计算得到的散射截面与实验数据一致。