半导体微腔中涡旋的激发
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v1
摘要
我们预言，激子-极化激元的横电-横磁偏振劈裂为实现半导体微腔中绕数2的极化激元涡旋提供了一种简便技术。这些涡旋可由不具有轨道角动量的圆偏振光激发，并可在相反圆偏振中作为相位涡旋或直接作为线偏振涡旋被观测到。该预言由一个简化的解析线性模型解释，并通过基于Gross-Pitaevskii方程的数值模型得到充分展示，该模型包含了极化激元-极化激元相互作用的非线性效应。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0612315,
title = {Excitation of Vortices in Semiconductor Microcavities},
author = {T C H Liew and A V Kavokin and I A Shelykh},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0612315},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures