铼掺杂硅中的交换相互作用和 Tc：DFT、DFT+U 和蒙特卡洛计算
材料科学
2012-07-13 v1 无序系统与神经网络
强关联电子
摘要
通过密度泛函理论 (DFT) 和 DFT+U 方案研究了硅中铼杂质之间的相互作用。除了 Re-Re 二聚体外，所有杂质间的耦合均为铁磁性；由于几何结构的显著弛豫支持了化学键的形成，Re-Re 二聚体在 DFT 方法中表现为非磁性。临界温度是通过使用海森堡哈密顿量的经典蒙特卡洛 (MC) 模拟计算的。对于 7% 的杂质浓度，使用 DFT 交换相互作用在室温下获得了均匀铁磁相。使用 DFT+U 交换相互作用时，在仅含 3% Re 的 MC 样品中，铁磁团簇在高于室温下形成。
引用
@article{arxiv.1207.3059,
title = {Exchange interactions and Tc in rhenium doped silicon: DFT, DFT+U and Monte Carlo calculations},
author = {Malgorzata Wierzbowska},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.3059},
year = {2012}
}
备注
7 pages, 2 figures, 4 tables