Ni/Co3O4(011)中的交换偏置与界面电子结构
材料科学
2015-03-13 v1
摘要
本文报道了Ni/Co3O4(011)中交换偏置效应及界面电子结构的详细研究。在低温下观察到大的交换各向异性，且交换偏置效应持续到远高于块体Co3O4奈尔温度（约40 K）的温度：对于沉积在有序氧化物表面的Ni薄膜，该温度约为80 K；对于沉积在较粗糙Co3O4表面的Ni薄膜，则约为150 K。作为Ni厚度函数的光电子能谱测量表明，在扩展的界面区域内发生了Co的还原和Ni的氧化。我们得出结论：在Ni/Co3O4以及类似的铁磁金属/Co3O4体系中观察到的交换偏置并非Co3O4的本征性质，而是由于界面处CoO的形成所致。
引用
@article{arxiv.1003.2478,
title = {Exchange bias and interface electronic structure in Ni/Co3O4(011)},
author = {C. A. F. Vaz and E. I. Altman and V. E. Henrich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.2478},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 6 figures. Accepted for publication in Physical Review B.