限制条件在涡旋纳米晶体中诱导的拓扑缺陷过剩
超导电性
2017-07-19 v1
摘要
我们直接对纳米晶体中的单个涡旋位置进行成像，以揭示导致一阶相变中熵跃耗尽的结构特性。随着纳米晶体尺寸减小，拓扑缺陷的密度在边缘附近沿一个特征长度增加。在距样品边缘这一“愈合长度”距离内，涡旋行趋于弯曲；而在样品中心，涡旋结构的位置序与 Bragg-glass 相的预期一致。这表明，愈合长度可能是对极度层状涡旋纳米晶体一阶相变中熵跃耗尽进行建模的关键量。
引用
@article{arxiv.1704.01040,
title = {Excess of topological defects induced by confinement in vortex nanocrystals},
author = {N. R. Cejas Bolecek and M. I. Dolz and H. Pastoriza and M. Konczykowski and C. J. van der Beek and A. B. Kolton and Y. Fasano},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.01040},
year = {2017}
}