原始及空穴掺杂kagome金属RbV$_3$Sb$_5$的电子结构演化
超导电性
2022-02-23 v1
摘要
我们报道了基于碱金属的kagome金属RbVSb单晶解理表面的原位低温（4 K）扫描隧道显微镜对原子与电子结构的测量。我们发现主导的原始表面呈现Rb-1x1结构，其中发现了独特的单向电荷序。随着样品温度略微升高，由于表面Rb原子脱附，形成Rb-x1与Rb-x重构。我们的电导映射结果表明，Rb脱附不仅引起空穴掺杂，还重整化了电子能带结构。令人惊讶的是，尽管各表面空穴载流子浓度差异很大，我们在所有表面的隧穿谱中均发现费米能级附近普遍的能隙打开现象，表明RbVSb中存在轨道选择性能带重构。
引用
@article{arxiv.2109.11286,
title = {Evolution of electronic structure in pristine and hole-doped kagome metal RbV$_3$Sb$_5$},
author = {Jiawei Yu and Kebin Xiao and Yonghao Yuan and Qiangwei Yin and Zhiqiang Hu and Chunsheng Gong and Yunkai Guo and Zhijun Tu and Hechang Lei and Qi-Kun Xue and Wei Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.11286},
year = {2022}
}
备注
Comments are welcome