Sn-InSb 纳米线中偏斜衍射图样所揭示的 $\phi$0 约瑟夫森结证据
介观与纳米尺度物理
2025-01-15 v5
摘要
我们研究了基于具有 Sn 壳层的 InSb 纳米线的约瑟夫森结。我们观察到偏斜的临界电流衍射图样：正向与反向电流偏置下的极大值出现在不同磁通处，位移为 20–40 mT。当外场近乎垂直于纳米线、位于衬底平面内时，偏斜最显著。该取向表明自旋轨道相互作用起了作用。我们建立了唯象模型并进行了紧束缚计算，两种方法均再现了实验的基本特征。所建模的效应是带有高阶约瑟夫森谐波的 0 约瑟夫森结。该系统对马约拉纳研究具有重要意义：这些效应或是拓扑超导的前兆，或与之共存。缺乏反演对称的电流-相位关系也可用于设计具有定制非线性的量子电路。
引用
@article{arxiv.2212.00199,
title = {Evidence of $\phi$0-Josephson junction from skewed diffraction patterns in Sn-InSb nanowires},
author = {B. Zhang and Z. Li and V. Aguilar and P. Zhang and M. Pendharkar and C. Dempsey and J. S. Lee and S. D. Harrington and S. Tan and J. S. Meyer and M. Houzet and C. J. Palmstrom and S. M. Frolov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.00199},
year = {2025}
}