Bi2212中Kosterlitz-Thouless与3D-xy临界行为的证据
超导电性
2009-06-08 v2 强关联电子
摘要
我们展示了一个高质量Bi2212单晶的可逆磁化数据，并探讨了在体相转变温度Tc附近出现3D-xy临界行为以及Kosterlitz-Thouless (KT)行为的可能性。在假定的Kosterlitz-Thouless转变温度T_KT以下和以上，我们观察到特征性的2D-xy行为：随着磁场降低，交叉点现象向T_KT方向下移；在远低于T_KT时，磁化强度与面内磁穿透深度之间呈现特征性的2D-xy关系。相比之下，测得的超流密度温度依赖性在假定的T_KT附近并未表现出特征性的KT行为。这一特征的缺失可归因于在T_KT附近及以上出现的2D-到3D-xy交叉。利用麦克斯韦关系，比热峰的反常场依赖性也被追溯至中间的2D-xy行为。然而，在Tc附近，我们观察到与3D-xy临界行为的一致性，这与面内磁穿透深度的测量结果相符。
引用
@article{arxiv.0902.1086,
title = {Evidence for Kosterlitz-Thouless and 3D-xy critical behavior in Bi2212},
author = {S. Weyeneth and T. Schneider and E. Giannini},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.1086},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 10 figures