锶锓系超导体RbOs2O6中带电临界行为的证据
超导电性
2009-11-10 v1
摘要
我们分析了最近发现的锶锓系氧化物超导体RbOs2O6的磁渗透深度数据。我们的结果强烈暗示在RbOs2O6中，带电临界涨落支配其在Tc附近的磁渗透深度的温度依赖性。这与常规超导体中观察到的均匀场行为以及在近最优掺杂铜系超导体中发现的无带电临界行为形成对比。然而，这一发现与理论预测的带电临界性以及在欧伦掺杂YBa2Cu3O6.59中观察到的带电临界性相一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409398,
title = {Evidence for charged critical behavior in the pyrochlore superconductor RbOs2O6},
author = {T. Schneider and R. Khasanov and H. Keller},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409398},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures