eV能级惰性中微子：一扇通向非幺正性的窗口？

在加速器中微子实验中，以高置信水平（CL）在 $\nu_{\mu} \rightarrow \nu_{e}$ 通道观测到的超出已被解释为源于 eV 能级惰性中微子。但是，在类似的高 CL 下，它一直受到“出现-消失张力”问题的困扰，因为 $\nu_{\mu} \rightarrow \nu_{\mu}$ 通道的测量没有观察到与出现通道中惰性中微子贡献相对应的预期事件数消耗。我们提出非幺正性作为解决这种张力的简单自然方法，这促使我们构建了非幺正 $(3+1)$ 模型。通过对控制非幺正性的 $\alpha$ 参数进行合理估计（我们论证该参数随着更多惰性态的加入而增大），我们进行了说明性分析，以阐明该模型是否能够解决这一张力。我们发现了 $\sin^2 2\theta_{14} \approx 0.3$ 的唯一解，该解与（反应堆 + Ga）数据一致，并且对出现特征的变化保持稳定。该解在两个高 CL 特征（BEST 和 LSND-MiniBooNE）之间架起了桥梁，并鉴于反中微子部分显示的异常少得多，意味着存在大的中微子-反中微子不对称性。