仅基于变温低偏压隧穿电导估算分子结中的分子数目

在分子结中测量的温度（$T$）依赖电导 $G = G(T)$ 数据通常被视为两步跳跃机制的证据。本文强调，情况未必如此。$\ln G$ 对 $1/T$ 的曲线几乎线性下降（类阿伦尼乌斯区）并最终切换到一个近乎水平的平台（索末菲区），或者其斜率随 $1/T$ 增加而逐渐减小，这完全符合单步隧穿机制。所展示的 $G$ 对 $T$ 依赖性的结果包括解析精确和精确近似公式以及数值模拟。这些理论结果是普适的，也意味着它们不限于（例如，单分子电迁移（SET）或大面积 EGaIn）制造平台，选择这些平台进行示例仅仅是因为有可用的实验数据需要分析。具体来说，我们详细研究了基于二茂铁（Fc）的分子结的输运测量。作为一项特别重要的发现，我们展示了如何利用当前的 $G=G(T)$ 解析公式来计算具有 EGaIn 顶电极的大面积 Fc 基结的有效面积与标称面积之比 $f = A_{\text{eff}} / A_n$。我们估算的 $f\approx 0.6 \times 10^{-4}$ 与先前基于完全不同方法的相关大面积分子结的报道值相当。