本征铁磁半导体GdN与硅技术的外延集成
材料科学
2010-05-03 v1
摘要
下一代自旋电子学器件面临的一个主要挑战是实现铁磁半导体薄膜作为自旋注入器和探测器。自旋极化载流子注入无法从金属中高效实现，加之本征铁磁半导体的稀缺性，这推动了对稀磁半导体的深入研究。其中最主要的是掺杂III-V族化合物(Ga,Mn)As。这些材料存在许多缺点；它们 载流子浓度和电荷符号的独立控制。在此，我们展示了近期表征的一种本征铁磁半导体GdN在硅衬底上的首次外延生长，这是将新的自旋电子学功能集成到基于硅技术中的关键一步。对这些薄膜的生长趋向完全弛豫GdN的情况、其载流子的密度与迁移率以及其磁行为进行了表征。
引用
@article{arxiv.1004.5428,
title = {Epitaxial integration of the intrinsic ferromagnetic semiconductor GdN with silicon technology},
author = {F. Natali and N. O. V. Plank and B. J. Ruck and H. J. Trodahl and F. Semond and S. Sorieul and L. Hirsch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1004.5428},
year = {2010}
}