磁性绝缘体 DyVO4 中场诱导量子临界性相关的熵地形
强关联电子
2022-02-15 v1
摘要
探索与量子临界点相关的低温相变是近年来备受关注且最为神秘的研究领域之一。本工作中，通过全面的实验证据，我们报道了在磁性绝缘体 DyVO4 中，于分隔顺磁、反铁磁与变磁相的磁场调控三临界点邻域实现量子临界性的可能性。磁化率与热容表明在 TN ~ 3.2 K 处存在长程二阶反铁磁转变。磁化率与热容的场变化，连同微分磁化率与依赖直流场的交流磁化率，给出了三临界点以下反铁磁结构被修饰的证据；意味着存在场诱导的一阶变磁转变并持续至 1.8 K。此外，与磁 Gruneisen 参数相关的热力学量 -dM/dT 的磁场依赖性趋近于极小值，随后在 5 kOe 附近交叉至极大值；且在临界场 regime 中 dM/dT 的温度响应呈现双曲发散。5 kOe 下热容的温度响应也显示出对常规行为的偏离。熵地形相图可追踪熵的变化，表明在量子临界点出现的峰在高温度下演化为 V 形区域。我们的研究给出了独特的相图，描述了随着温度降低、二阶反铁磁相线终止于三临界点并继之以变磁转变一阶线的变磁量子临界端点。
引用
@article{arxiv.2112.14128,
title = {Entropic topography associated with field-induced quantum criticality in a magnetic insulator DyVO4},
author = {Dheeraj Ranaut and K. Mukherjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.14128},
year = {2022}
}