纳米结构电子-声子系统中电阻率的巨大增强
强关联电子
2024-08-23 v1
摘要
最近对银（Ag）嵌入黄金（Au）基体中的纳米簇的实验表明，随着Ag体积分数增加，零温电阻率和“T线性”热电阻率系数都出现巨大增长。当Ag体积分数f约为50%时，残余电阻率增加了20倍，线性T电阻率系数增强了40倍。由于Au和Ag都具有较弱的电子-声子耦合，我们推测巨大的增强源自于银-黄金界面可能出现的中等强度的电子-声子耦合。我们构建了可变f的纳米簇构型，定义其上的Holstein模型，其中内部站点的耦合较弱，而界面站点的耦合较强，通过基于Langevin动力学的精确对角化来求解该模型。在计算电阻率时，我们观察到随着f增加而出现的大T=0增长，以及约30的线性T增强因子。尽管增强因子取决于参数选择，但我们的关键定性结果是界面物理在各处不均匀，具有广泛的扭曲，不同的界面片段决定了残余电阻率和热散射。
引用
@article{arxiv.2408.12542,
title = {Enormous enhancement of resistivity in nanostructured electron-phonon systems},
author = {Debraj Bose and Sankha Subhra Bakshi and Pinaki Majumdar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.12542},
year = {2024}
}
备注
6 pages, 4 figures, and Supplementary