钉扎多畴晶体中迁移率的增强
超导电性
2009-11-11 v2
摘要
我们通过一个完全可控的宏观粒子模型系统,探索了部分钉扎在方形陷阱阵列上的弹性晶格简并畴内部和周围的迁移率特性。我们关注在钉扎强度降低时,填充比为1或2所获得的不同构型。这些理论上预期但从未观察到的构型是简并的,这意味着多畴晶体的存在。我们表明,在强钉扎情况下所做的俘获粒子与非俘获粒子的区分对于这种较弱钉扎并不适用。事实上,人们应该区分与位置简并相关的畴内或畴周围的粒子。讨论了这对晶格脱钉动力学的可能影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0611582,
title = {Enhancement of mobilities in a pinned multidomain crystal},
author = {Gwennou Coupier and Michel Saint Jean and Claudine Guthmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611582},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 10 figures Version 2 : longer version