施主掺杂带隙材料中的增强型高次谐波产生
光学
2019-01-30 v3 原子物理
量子物理
摘要
我们发现，与未掺杂和受主掺杂材料相比，施主掺杂带隙材料可将整体高次谐波产生（HHG）效率提升数个数量级。这一由含时密度泛函理论模拟预测的显著增强，源于位于带隙内且具有孤立能量的最高占据杂质态。杂质态HHG可通过三步模型加以解释，其中考虑了杂质态电子隧穿进入导带，随后依据其能带结构运动直至复合。除改善HHG效率外，施主型掺杂还导致了不同于未掺杂与受主掺杂情形的谐波截止，这可由针对杂质态HHG的半经典分析予以解释。
引用
@article{arxiv.1809.06264,
title = {Enhanced high-order harmonic generation in donor-doped band-gap materials},
author = {Chuan Yu and Kenneth K. Hansen and Lars Bojer Madsen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.06264},
year = {2019}
}
备注
9 pages, 7 figures, REVTeX 4.1