金属间化合物 EuTSi$_3$ (T=Rh, Ir) 中导带态密度的增强

我们报道了单晶 EuRhSi$_3$ 和多晶 EuIrSi$_3$ 的物理性质，这些性质是通过磁化、电输运、热容和 $^{151}$Eu M"ossbauer 谱学推断得出的。这些已知的化合物结晶为四方 BaNiSn$_3$ 型结构。EuRhSi$_3$ 的单晶磁化在 2 K 时表现出强烈的各向异性行为，其自旋翻转场为 13 T；我们提出了一个描述这些磁性质的模型，从而可以确定交换常数。在这两种化合物中，比热显示出在 50 K 附近存在一系列两个紧密相邻的相变，而 $^{151}$Eu M"ossbauer 谱表明中间相具有非公度振幅调制结构。我们发现，与该系列的其他成员相比，RKKY N\'eel 温度、自旋翻转场 (13 T)、从电阻率和比热数据推断出的自旋波能隙 ($\simeq$ 20-25 K)、EuRhSi$_3$ 中的自旋无序电阻率 ($\simeq 35$ $\mu$Ohm.cm) 以及饱和超精细场 (52 T) 的值均异常大。我们表明，所有这些量都取决于费米能级处的电子态密度，这意味着后者在这两种材料中必须得到显著增强。EuIrSi$_3$ 表现出巨大的磁电阻比，在 2 K 和 14 T 磁场下其值超过 600%。