增强的反氢离子产生
高能物理 - 实验
2017-01-05 v2 原子物理
摘要
GBAR实验中反氢离子的产生将通过两步电荷交换过程实现。在第一步反应中，来自CERN ELENA环的反质子将从正电子素靶中俘获一个正电子，产生反氢原子。这些反氢原子在同一个正电子素靶中相互作用，将在第二步产生反氢离子。这导致反离子的产生率大致与正电子素密度的平方成正比。我们提出了一种方案，通过将反质子脉冲整形以最大化正电子素与反质子的时间重叠，从而提高GBAR实验中的反离子产生率。详细的模拟表明，通过对来自ELENA的反质子进行聚束，可获得数量级的提升。为了避免因聚束引入的能量展宽导致在Paul阱俘获时产生损失，可以对反氢离子施加对称反转脉冲进行解聚束。
引用
@article{arxiv.1612.07814,
title = {Enhanced anti-hydrogen ion production},
author = {D. A. Cooke and A. Husson and D. Lunney and P. Crivelli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.07814},
year = {2017}
}
备注
8 pages, 6 figures, prepared for the proceedings of the WAG2015 conference