在反铁磁异质结石墨烯纳米片中工程化拓扑保护的零维界面端态

我们研究了由两个具有相反面内反铁磁序的反铁磁石墨烯纳米片组成的异质结的能带结构和能级，其中采用了修正的Kane-Mele模型。在形成反铁磁石墨烯异质结之前，每个孤立石墨烯纳米片中螺旋边缘态的能隙被反铁磁序打开，并且不存在隙内角态。我们发现，当两个相反的反铁磁石墨烯耦合形成异质结纳米片时，可以诱导出拓扑保护的零维隙内态。此外，我们证明了这些隙内态位于界面末端，并且对磁无序、Anderson无序和界面磁缺陷具有鲁棒性。异质结样品中隙内界面端态的位置和数量可以进行精确的量子控制。