具有氧空位的锐钛矿与金红石 TiO$_2$ 中 Si 掺杂的工程设计以实现高效光学应用
强关联电子
2021-12-24 v1 材料科学
摘要
本文中，我展示了基于密度泛函理论加动力学平均场理论对掺杂 金红石以及另一具有氧空位的四方相锐钛矿电子性质的研究。态密度与光学性质由采用屏蔽杂化交换关联密度泛函的电子结构获得。所有单粒子激发在动力学平均场理论框架内作为独立准粒子处理。对于光学性质，激发通过求解库仑关联电子-空穴对的 Bethe-Salpeter 方程来考虑。在此理论基础上，给出了 两种结构的能带结构与光学谱。进一步，我将本结果与先前母体结构的光学数据比较，确立了两种结构中具氧空穴的掺杂 光学效率的提升。
引用
@article{arxiv.1911.07742,
title = {Engineering Si doping in anatase and rutile TiO$_2$ with oxygen vacancy for efficient optical application},
author = {S. Koley},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.07742},
year = {2021}
}