工程化磁感应比特： trapped离子中亚稳态电子D态的磁感应比特
量子物理
2026-04-21 v1 原子物理
摘要
离子阱量子计算机常在场敏感的S_1/2基态泊克兹水平存储量子比特，如40Ca+、88Sr+及138Ba+原子系统。我们实验性地合成了位于138Ba+原子系统中多个亚稳态电子D_3/2泊克兹水平的磁感应比特状态。我们演示了在D_3/2谱系中实现的相干操作，包括合成量子比特状态之间的相干翻转，实验结果与理论一致。这种编码方式可能使原子水平的光子接口更具灵活性；经测量的比特相干时间T2*提升约3倍，为量子计算及网络应用的进一步改进奠定了基础。
关键词
引用
@article{arxiv.2604.16786,
title = {Engineering magnetically insensitive qubits in metastable electronic D-states of trapped ions},
author = {Ksenia Sosnova and Martin Lichtman and Allison Carter and Nora Crocker and Christopher Monroe},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.16786},
year = {2026}
}