基于自旋敏感线性响应理论的 SiO$_2$ 上自旋不平衡石墨烯集体模式的能量移动
介观与纳米尺度物理
2018-08-20 v1
摘要
光学与散射实验日益提高的精度，要求更好地理解阻尼对片电子集体模式的影响。由于自旋极化系统在自旋电子学应用中备受关注，我们在此报道石墨烯的自旋敏感线性响应函数，其可揭示与电荷及自旋密度相关的激发。我们进一步计算了用于 s 波扫描近场显微镜的 SiO2 表面上的石墨烯反射率。由于少数自旋载流子的单粒子带间跃迁，增加石墨烯电荷载流子的部分自旋极化会导致等离激元模式显著展宽与移动。我们还预测了纵向磁响应函数中的反共振，类似于半导体异质结构中的情况。
引用
@article{arxiv.1808.05642,
title = {Energy shift of collective modes in spin-imbalanced graphene on SiO$_2$ from spin-sensitive linear response theory},
author = {Dominik Kreil and Michaela Haslhofer and Helga M. Böhm},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.05642},
year = {2018}
}
备注
11 pages