Th+ 在 7.3 至 8.3 eV 之间的能级
原子物理
2013-08-01 v1
摘要
利用共振双步激光激发囚禁的 离子，我们在 7.3 至 8.3 eV 的能量范围内观测到 43 个此前未知的能级。如此高的态密度有望显著增强预计位于该能量范围内的 核态的电子桥接激发。通过观测 Th+ 的共振增强三光子电离，可推断钍的第二电离电位位于 11.9 至 12.3 eV 之间。研究发现，波长范围从 237 到 289 nm 的脉冲激光辐射能有效光解离由 Th+ 与缓冲气体中的杂质反应形成的分子离子，从而显著延长 Th+ 在离子阱中的存储时间。
引用
@article{arxiv.1305.0765,
title = {Energy levels of Th+ between 7.3 and 8.3 eV},
author = {O. A. Herrera-Sancho and N. Nemitz and M. V. Okhapkin and E. Peik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.0765},
year = {2013}
}
备注
7 pages, 6 figures