低能电子非弹性散射对 $^{229m}$Th 的激发
核理论
2020-07-01 v1
摘要
在量子电动力学微扰理论的框架下，从理论上研究了反常低布局核同质异能态 Th eV) 在非弹性电子散射过程中的激发。对于 Th 原子及 Th 离子，由能量在 9 eV–12 eV 范围内的极低能电子引起 Th 激发的计算截面位于 – cm 之间。如此大的截面为在电子束或电子（电）流实验中有效非共振激发 Th 开辟了新的可能性。这一点可能至关重要，因为目前同质异能态能量的已知精度不足以实现光子的共振激发。此外，时间反演过程的截面也很大，因此金属中通过传导电子发生非辐射 Th 衰变的概率约为 s，即接近于 Th 原子中的内转换概率。
引用
@article{arxiv.2004.14006,
title = {Excitation of $^{229m}$Th at Inelastic Scattering of Low Energy Electrons},
author = {E. V. Tkalya},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.14006},
year = {2020}
}
备注
7 pages, 8 figures