通过强磁涨落消除金属-绝缘体转变中的轨道选择性
强关联电子
2022-08-30 v2
摘要
轨道选择性电子行为是多轨道系统中强电子关联最显著的表征之一。一个突出的例子是轨道选择性莫特转变（OSMT），其特征是某些轨道中局域电子与其他轨道中巡游电子共存。在二维和三维系统中对 OSMT 的最先进理论描述基于动力学平均场理论或 slave spin 方法所提供的对电子关联的局域非微扰近似。在本工作中，我们超越这一局域图像，聚焦于空间集体电子涨落对 OSMT 的影响。为此，我们考虑立方晶格上具两个不同带宽轨道的半填充 Hubbard-Kanamori 模型。我们表明，该系统固有的强磁涨落阻止了 OSMT，并有利于在两个轨道相同临界温度下发生的 Néel 转变。
引用
@article{arxiv.2204.02895,
title = {Eliminating Orbital Selectivity from the Metal-Insulator Transition by Strong Magnetic Fluctuations},
author = {Evgeny A. Stepanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.02895},
year = {2022}
}