惰性希格斯暗物质直接探测截面的电弱修正

惰性希格斯模型是标准模型的最小扩展，其特征是拥有一个可行的暗物质候选者，即所谓的惰性希格斯 ($H^0$)。在本文中，我们计算并分析了该模型内暗物质直接探测截面的主导电弱修正。这些修正源于由规范玻色子介导的单圈图，与树图结果相反，它们不依赖于未知的标量耦合 $\lambda$。我们详细研究了这些贡献，并表明它们可以显著改变自旋无关直接探测截面的预测。在模型的两种可行区域，即 $m_H < M_W$ 和 $m_H \gtrsim 500 \text{ GeV}$ 中，我们发现单圈截面远大于树图截面的区域。我们还证明，在该模型的整个可行参数空间上，这些新贡献使得自旋无关截面处于未来直接探测实验的可探测范围内。