单圈阶下的暗物质盲点

我们评估了单圈电弱修正对暗物质(DM)与核子的自旋无关散射截面（$\sigma_{\rm SI}$）的影响，该修正针对具有所谓直接探测盲点的模型，其中DM与希格斯玻色子相关耦合的领头阶预言以及因此的$\sigma_{\rm SI}$极小乃至消失。采用一个简单的示例情景，其中DM态来自电弱单态与双重态费米子的混合，我们计算了源于涉及SM和暗 sector场的三角和箱型图的对$\sigma_{\rm SI}$的标量有效算符贡献的相关高阶修正。观察到在单态-双重态模型空间的显著区域中，单圈修正“解开”了树级盲点，并在未来的多吨级液氙实验中导致可探测的SI散射率，$\sigma_{\rm SI}$达到弱尺度DM具有$\mathcal{O}(1)$汤川耦合时高达几倍$10^{-47} {~\rm cm}^2$的值。此外，我们发现次领头阶总是存在一个新的SI盲点，它在单态-双重态质量参数上相对领头阶盲点有微扰偏移。作为比较，我们还给出了SI盲点区域附近的树级自旋相关散射截面，其可能导致更大的信号。我们的结果可映射到MSSM中bino-Higgsino DM的盲点情景，其中其他sfermion、较重的希格斯玻色子和wino均已退耦。