电子模仿光：石墨烯上带电阵列中的受抑超临界塌缩
介观与纳米尺度物理
2019-01-31 v1
摘要
石墨烯的类光子电子色散赋予其载流子不同寻常的限域特性，这些特性强烈依赖于周围势的几何形状与强度。本文报道了原子级精确的一维(1D)点电荷阵列的自底向上合成，旨在探索新几何构型下石墨烯中载流子的超临界限域。该阵列通过将 F4TCNQ 分子排列在背栅石墨烯器件上的一维晶格中合成，从而可精确调控分子电荷态与阵列周期性。稀疏的电离 F4TCNQ 分子阵列表现为孤立的亚临界电荷，而致密阵列则展现出涌现的超临界性。与紧凑超临界团簇不同，扩展的一维电荷阵列同时表现出超临界与亚临界特征，属于被称为受抑超临界塌缩的新物理 regime。其中远场载流子被超临界电荷分布吸引，但其向中心的坠落被近场亚临界势所阻碍，类似于广义相对论中光被致密星团俘获。
引用
@article{arxiv.1812.03663,
title = {Electrons imitating light: Frustrated supercritical collapse in charged arrays on graphene},
author = {Jiong Lu and Hsin-Zon Tsai and Alpin N. Tatan and Sebastian Wickenburg and Arash A. Omrani and Dillon Wong and Alexander Riss and Erik Piatti and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Alex Zettl and Vitor M. Pereira and Michael F. Crommie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.03663},
year = {2019}
}