类硅烯六方晶格中的电子输运及相关反常效应
介观与纳米尺度物理
2018-07-31 v1 材料科学
摘要
我们研究了类硅烯六方晶格系统中由Berry修正和显著扰动引起的反常效应。探讨了周期Bloch能带系统中与电磁场相关的Berry曲率，所诱导的横向反常速度产生了本征霍尔电导（无顶角修正），尤其在量子反常霍尔相中。检测了与反常速度项相关的量子反常霍尔效应，包括能带避免交叉效应和产生的特殊带隙。拓扑自旋输运受Berry曲率影响，并且自旋流驱动的Skyrmion自旋纹理运动在量子自旋霍尔效应与量子反常霍尔效应之间进行了对比。由于硅烯涉及轨道自由度，轨道磁矩和轨道磁化对硅烯的电子输运性质有显著贡献，如本文所探讨。我们还研究了在具有电场诱导Rashba耦合的Josephon结中硅烯的电子隧穿性质，并提及了由Berry相位引起的反常效应。我们的结果对基于类硅烯拓扑绝缘体的自旋电子学和谷电子学的应用有意义。
引用
@article{arxiv.1807.10898,
title = {Electronic transport and the related anomalous effects in silicene-like hexagonal lattice},
author = {Chen-Huan Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.10898},
year = {2018}
}