GdN 的电子结构及精确交换的影响
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
利用局域密度近似、哈特里 - 福克水平以及混合泛函 B3LYP 水平研究了 GdN 体材料。采用了在 CRYSTAL06 当前版本中实现的局域基组形式。结果表明，该代码在技术上能够显式处理该系统中的 4f 电子（即非内层电子）。局域密度近似水平下的能带结构与早期计算结果吻合良好，并被发现具有半金属性。哈特里 - 福克能带结构表现为具有大带隙的绝缘体。有趣的是，在 B3LYP 水平下发现了三种解。其中能量最低的一种对多数自旋表现为绝缘体，而少数自旋的费米面仅由点组成，导致费米能级附近的态密度非常低。
引用
@article{arxiv.0801.3152,
title = {Electronic structure of GdN, and the influence of exact exchange},
author = {K. Doll},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.3152},
year = {2009}
}
备注
to appear in J. Phys.: Condensed Matter