赝能隙出现导致的欠掺杂铜氧化物电子结构
超导电性
2011-05-04 v2 强关联电子
摘要
Yang、Rice和Zhang工作中发展的唯象格林函数在理解深度欠掺杂铜氧化物许多反常超导性质方面非常成功。它基于共振价键自旋液体近似的考虑，旨在描述铜氧化物的欠掺杂区域。这里我们强调掺杂量刚好低于赝能隙出现的量子临界点以下的区域。除了围绕节点方向的Luttinger空穴口袋外，反节点附近还存在电子口袋，这些电子口袋通过有能隙的桥接轮廓与空穴口袋相连。我们确定了最近邻轮廓，如同在角分辨光电子能谱实验中测量到的那样，并强调了从费米液体理论的大费米轮廓（包含个空穴态）到Luttinger口袋（包含个空穴态）的费米面重构特征。我们发现，准粒子有效质量重整化在向Luttinger口袋边缘方向时强烈增加，并在边缘之外发散。
引用
@article{arxiv.1006.5034,
title = {Electronic structure in underdoped cuprates due to the emergence of a pseudogap},
author = {J. P. F. LeBlanc and J. P. Carbotte},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.5034},
year = {2011}
}
备注
11 pages, 9 figures