金属上石墨烯摩尔条纹的电子结构、成像衬度与化学反应性
材料科学
2013-01-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在 4d 和 5d 过渡金属表面实现石墨烯摩尔超结构，提供了具有周期性调制电子密度的模板，这导致了许多迷人的效应，包括量子点的形成以及有机分子或金属团簇在石墨烯上的位点选择性吸附。在此，通过结合扫描探针显微镜/谱学技术与密度泛函理论计算，我们深入洞察了外延石墨烯/Ir(111) 系统中成像衬度的电子贡献与形貌贡献。我们直接表明，在 STM 成像中，电子贡献相较于形貌贡献占主导地位。在力显微镜与谱学实验中，我们观察到针尖与石墨烯摩尔超晶胞内高对称位置之间相互作用强度的变化，这些变化决定了分子或金属团簇在石墨烯/Ir(111) 上的吸附位点。
引用
@article{arxiv.1210.1602,
title = {Electronic structure, imaging contrast and chemical reactivity of graphene moir\'e on metals},
author = {E. N. Voloshina and E. Fertitta and A. Garhofer and F. Mittendorfer and M. Fonin and A. Thissen and Yu. S. Dedkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.1602},
year = {2013}
}
备注
submitted on Sep, 6th 2012