双外尔半金属SrSi$_2$的电子结构与非常规非线性响应
介观与纳米尺度物理
2021-12-16 v2
摘要
考虑一种非中心对称、非磁性的双外尔半金属(WSM) SrSi，我们研究了块体费米面行为中的电子与空穴囊，从而能够将材料表征为I型WSM。我们研究了材料的结构手性，并将其与两个相对表面处随能量演化的 distinct 表面费米面相关联。费米弧单态在自旋轨道耦合起始时变为双重态，这与外尔节点(WNs)的拓扑电荷一致。SrSi中相反手性WN之间的有限能量分离使我们能够计算圆光电效应(CPGE)。依据三带公式，我们表明仅当费米能级选在位于较高能量处的WN附近时，CPGE才被量子化。令人惊讶的是，对于位于较低能量处的另一相反手性WN，CPGE未被发现量子化。此种CPGE行为与破时间反演WSM形成完全对比，后者中CPGE根据被激活WN的拓扑电荷量子化为两个相反的平台。我们进一步通过考察动量分辨的CPGE来分析我们的发现。最后我们表明，CPGE的两带公式无法捕捉由三带公式所捕获的量子化。
引用
@article{arxiv.2104.01629,
title = {Electronic structure and unconventional non-linear response in double Weyl semimetal SrSi$_2$},
author = {Banasree Sadhukhan and Tanay Nag},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.01629},
year = {2021}
}
备注
11 pages and 7 figures