MoS$_2$/磷烯范德瓦耳斯异质结构中的电子结构与磁输运
介观与纳米尺度物理
2020-08-10 v1
摘要
在密度泛函理论结合格林函数的框架下，通过散射形式论研究了时间依赖的自旋流介导的自旋转移力矩行为。在一种模型半导体 MoS/磷烯范德瓦耳斯异质结构中揭示了量子磁输运特性。研究了自旋流通道化异层输运的动力学随磁化角旋转变化的规律。观察到时间依赖的自旋输运力矩不随磁化角方向改变而保持不变。极化自旋流在外磁场下具有持续性，在自旋电子学方面具有潜在适用性。
引用
@article{arxiv.1906.09187,
title = {Electronic structure and Magneto-transport in MoS$_2$/Phosphorene van der Waals heterostructure},
author = {Sushant Kumar Behera and Pritam Deb},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.09187},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 4 figures