GeSbTe合金CVD过程气相中分子的电子应力张量分析
化学物理
2016-01-25 v1 材料科学
摘要
我们利用电子应力张量分析了GeSbTe合金化学气相沉积（CVD）过程气相中可能存在的分子的电子结构，特别关注Ge、Sb与Te原子之间的化学键。我们发现，从电子应力张量的角度看，它们具有介于碱金属与碳氢分子之间的中间性质。我们还研究了基于电子应力张量定义的键级与能量相关量之间的关联。我们发现与键解离能的关联并不强，而与力常数的关联则非常强。我们在“拉格朗日面”上的能量密度的框架下解释这些结果，该面在电子应力张量分析框架中被视为定义分子中原子的边界表面。
引用
@article{arxiv.1504.06910,
title = {Electronic stress tensor analysis of molecules in gas phase of CVD process for GeSbTe alloy},
author = {Hiroo Nozaki and Yuji Ikeda and Kazuhide Ichikawa and Akitomo Tachibana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.06910},
year = {2016}
}
备注
32 pages, 9 figures