基于第一性原理计算的FeSe/STO界面电子性质
超导电性
2017-08-23 v1 材料科学
摘要
与实验相比，在LDA、PBEsol和PBE型交换关联（xc）泛函中计算的FeSe体晶格常数太小，尽管从LDA到PBE失配减小。另一方面，在体SrTiO3（STO）中，LDA过绑定，PBE欠绑定，PBEsol与实验最符合。由于误差方向相反，FeSe在STO上的单层中的应变取决于xc泛函，并且特别是在非磁状态下被强烈高估。在这项工作中，我们研究了密度泛函计算中的xc泛函和磁性对FeSe单层在STO衬底上的电子成键性质和电荷转移的影响。此外，我们在虚拟晶体近似中考虑氧空位的影响。与早期工作一致，我们发现棋盘反铁磁构型的能带结构与实验最符合，其中此外FeSe上的相对应变描述得最好。对于小的空位浓度，与最近实验一致，FeSe单层与Ti层的距离增加，而对于较高浓度则减小。
引用
@article{arxiv.1605.02244,
title = {Electronic properties of the FeSe/STO interface from first-principle calculations},
author = {Andreas Linscheid},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.02244},
year = {2017}
}
备注
Invited contribution Supercond. Sci. Technol.: Focus on Superconductivity in the 2D limit