欠掺杂铜氧化物的电子液晶物理

Eun-Ah Kim; Michael J. Lawler

doi:10.1016/j.physc.2012.04.038

欠掺杂铜氧化物的电子液晶物理

超导电性 2015-06-05 v1 强关联电子

作者: Eun-Ah Kim , Michael J. Lawler

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摘要

最近对称性破缺的观测部分揭开了赝能隙相的神秘面纱。本文回顾了欠掺杂Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+\delta}$ 赝能隙态中长程原胞内（IUC）向列序及其与涨落条纹相位意外强耦合的证据。我们特别关注在扫描隧道谱数据中揭示这一证据的分析技术、提取的IUC向列序参量的定义，以及IUC向列序与先前报道的共存涨落条纹之间耦合的唯象理论。我们还提出了由在位和近邻排斥驱动的IUC向列序的微观机制。最后，我们讨论了这些结果背景下的开放问题。

关键词

铜氧化物赝能隙向列序涨落条纹扫描隧道谱电子液晶

引用

@article{arxiv.1205.6408,
  title  = {Electronic Liquid Crystal Physics of Underdoped Cuprates},
  author = {Eun-Ah Kim and Michael J. Lawler},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1205.6408},
  year   = {2015}
}

备注

26 pages, 10 figures. To be published in Physica C

欠掺杂铜氧化物的电子液晶物理

摘要

关键词

引用

备注

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