非马尔可夫量子输运中的电子等待时间
介观与纳米尺度物理
2013-03-18 v1
摘要
我们建立了描述非马尔可夫广义主方程的纳米结构中电荷输运的电子等待时间分布的量子理论。通过计算耗散双量子点中电子输运的等待时间分布（其中由于强耦合热浴而存在记忆效应），我们阐释了该方法。我们考虑了非马尔可夫退相干对电子等待时间分布的影响，并讨论了如何通过测量电子等待时间来探测热浴的光谱特性。
引用
@article{arxiv.1211.4995,
title = {Electron Waiting Times in Non-Markovian Quantum Transport},
author = {Konrad H. Thomas and Christian Flindt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.4995},
year = {2013}
}
备注
4+ pages, 3 figures