电子穿越正常金属-应变石墨烯-正常金属结的传输
介观与纳米尺度物理
2020-10-28 v1
摘要
我们研究了电子穿越单个正常金属-石墨烯（NG）结与正常金属-石墨烯-正常金属（NGN）结的传输。对于单个 NG 结，最大传输随无量纲界面跳跃绘制的剖面分别与系统的电导相似。入射能量对传输的微小影响也可在单个 NG 结的电导中发现，其隧穿行为与 NGN 结存在显著差异。对于 NGN 结，传输与电导在不同入射能量、界面跳跃和应变强度下呈现出更丰富的结构。应变强度的增加总是在传输中不同角度诱导更多共振峰，从而增强电导。中间石墨烯段长度的增加可容纳更多准共振态，导致传输中出现更多共振峰和更丰富的结构。在单个 NG 与 NGN 结中，由于应变强度增强，可观察到金属侧波函数周期增加，这可作为检测石墨烯中应变强度的传感器。
引用
@article{arxiv.2007.02280,
title = {Electron Transmission Across Normal Metal-Strained Graphene-Normal Metal Junctions},
author = {Weixian Yan and Min Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.02280},
year = {2020}
}