Floquet工程下分子-金属界面的电子转移：速率常数与Floquet Marcus理论
化学物理
2023-06-21 v1
摘要
分子-金属或分子-半导体界面的电子转移（ET）是所有电化学与分子电子过程以及基底介导的表面光化学的基本反应。在本研究中，我们表明，通过周期性调制分子靠近金属表面的杂质能级，可显著调控金属表面附近的ET速率。我们采用解析Marcus理论以及先前开发的两种数值Floquet表面跳跃算法，计算金属表面附近的ET速率随驱动振幅与驱动频率的变化关系。我们发现，ET速率随驱动振幅增大而加快，但无转折效应；而随驱动频率增大则出现转折效应。
引用
@article{arxiv.2306.10219,
title = {Electron transfer at molecule-metal interfaces under Floquet engineering: Rate constant and Floquet Marcus theory},
author = {Yu Wang and Wenjie Dou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.10219},
year = {2023}
}
备注
15 pages, 5 figures