W51复合体电子温度：高分辨率低频射电观测
天体物理学
2009-06-08 v2
摘要
W51位于银河西方 Sagittarius臂的切线处，距离地球约7kpc，向天空延伸约1度。其分为三个组成部分A、B、C，其中W51A和W51B由多个紧凑HII region组成，而W51C为超新星遗迹。我们使用GMRT在240、610、1060、1400 MHz对这些HII region进行连续射电观测，最低频率下分辨率为20''x15''。观测到的W51主要热成分的光谱拟合为自由电子辐射光谱，估算了电子温度和辐射量。连续光谱得到的电子温度低于来自这些HII region射电重组线（RRL）研究报告的温度，这表明即便在此分辨率下仍需考虑填充因子。此外，240 MHz处观测到的亮度高于最佳拟合值，表明该区域需要采用多成分模型。
关键词
引用
@article{arxiv.astro-ph/0406644,
title = {Electron Temperatures in W51 Complex from High Resolution, Low Frequency Radio Observations},
author = {P. K. Srivastava and Pramesh Rao},
journal= {arXiv preprint arXiv:astro-ph/0406644},
year = {2009}
}
备注
21 pages,17figures.contents revised, submitted to JAA