半导体碳纳米管中通过弯曲声子模式的电子自旋弛豫

本研究考虑了一维结构中由弯曲热振动引起的 g 张量各向异性及其在电子自旋弛豫中的作用。特别是，理论上研究了磁场存在下，半导体碳纳米管中局域和非局域电子态通过弯曲模式的自旋 - 晶格弛豫机制。对单声子自旋翻转过程的计算预测了弛豫率对温度、磁场和纳米管直径的独特依赖关系。与超精细相互作用引起的自旋弛豫进行比较，清楚地表明所提出的机制在足够高的温度下具有相对效率。具体而言，估计半导体碳纳米管中的纵向自旋弛豫时间在室温下可短至 30 微秒。