InGaAs/InP量子阱中电子自旋轨道分裂：利用倾斜磁场下的弱反局化与自旋零效应研究
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v2 材料科学
摘要
通过在栅控的InGaAs/InP量子阱结构中同时测量弱反局化（WAL）效应和Schrödinger方程微扰振荡中的干涉，实验研究了Zeeman自旋分裂与Rashba自旋轨道耦合。通过倾斜磁场调节Zeeman分裂强度，并观察到Schrödinger方程微扰振荡中的自旋零点（不总是出现，倾斜可增强）。在倾斜磁场下，自旋轨道与Zeeman分裂不可简单相加，本文给出能级的简单表达式。从倾斜磁场中自旋零点位置提取出Rashba参数和电子g因子。自旋零点与弱反局化测量得到的自旋耦合强度一致性良好。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508328,
title = {Electron spin-orbit splitting in InGaAs/InP quantum well studied by means of the weak antilocalization and spin-zero effects in tilted magnetic fields},
author = {S. A. Studenikin and P. T. Coleridge and G. Yu and P. J. Poole},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508328},
year = {2009}
}
备注
Accepted for publication in Semiconductors Science and Technology