具有长程库仑相互作用的层状 t-J 模型中量子电荷涨落导致的电子自能

采用具有长程库仑相互作用的层状 t-J 模型的大 N 方案（该方案捕捉了铜基超导体中近期观测到的电荷激发谱的精细特征），我们探究了电荷涨落对电子自能的作用。我们将温度固定为零并聚焦于量子电荷涨落。我们发现自能虚部 Im$\Sigma({\bf k}, \omega)$ 相对于 $\omega = 0$ 存在显著不对称性，这由强电子关联效应驱动。准粒子权重急剧减小，且沿费米面几乎各向同性地发生。与此同时，一条非相干能带和一条尖锐的边带新近生成并获得可观的谱权重。所有这些特征均由通常的在位电荷涨落驱动，其实现于相当高能量区域并产生等离激元激发。另一方面，以超交换相互作用 J 为尺度的低能区域由键电荷涨落主导。令人惊讶的是，与在位电荷涨落的影响相比，即便体系接近键电荷不稳定性，其对电子自能的影响也要弱得多。此外，量子电荷动力学并未在电子色散中产生清晰的扭折或赝能隙。