耦合微波谐振腔的量子点接触中的电子-光子相互作用

我们研究了一个弱耦合到电压偏置量子点接触的单模腔。在微扰分析中，最低阶预测腔光子处于由导体发射噪声驱动的热态。因此，当量子点接触的所有透射概率趋近于1或0时，腔被清空。在更高耦合下识别出双光子过程，并且对于所有偏置电压，成对吸收都主导于成对发射。结果，腔光子数、腔阻尼率以及二阶相干性 $g^{(2)}$ 均降低，并表现出比热态更弱的聚束。这些结果通过Keldysh路径积分公式获得，并用速率方程重现。它们可被视为腔测量电子噪声的反作用。将标准 $P(E)$ 理论扩展到稳态情形，我们计算了导体的修正噪声特性，并发现与微扰计算定量一致。