基于第一性原理的$p$型PbTe中电子-声子散射与热电输运

我们提出了一个基于第一性原理的模型，描述<200b>$p$型PbTe中L和$\Sigma$谷处的电子-声子散射机制与热电输运，并考虑了其热致位移。我们在室温下计算的所有热电输运参数在很宽的掺杂浓度范围内与实验非常吻合。在$p$型PbTe中，纵向光学声子散射是主要的散射机制，而横向光学模散射最弱。由于L与$\Sigma$谷之间显著的能差，L谷在300 K时对热电输运贡献最大。我们表明，L与$\Sigma$谷之间的散射以及$\Sigma$谷的额外输运通道均有利于$p$型PbTe在300 K时的整体热电性能。因此，我们的发现支持了高谷简并度材料可能是良好热电材料的观点。