具有两能带谱的二维门控Rashba材料中由自旋轨道相互作用束缚的电子对
介观与纳米尺度物理
2022-11-23 v2 强关联电子
超导电性
摘要
我们表明,在二维门控Rashba材料中,由于相互作用电子库仑场产生的成对自旋轨道相互作用,以及导致相互作用电子负约化质量的能带结构特性之间的协同作用,会出现束缚电子对(BEPs)。我们的考量基于四能带Bernevig-Hughes-Zhang模型,其中Rashba自旋轨道相互作用由门上的电荷产生。BEP的束缚能随门电压在很宽范围内变化,跨越两粒子能隙的整个宽度。尽管自旋轨道相互作用破坏了自旋量子化,但BEP具有磁矩,该磁矩主要由电子的轨道运动产生,并可由门电压调节。
引用
@article{arxiv.2207.12414,
title = {Electron pairs bound by the spin-orbit interaction in 2D gated Rashba materials with two-band spectrum},
author = {Yasha Gindikin and Igor Rozhansky and Vladimir A. Sablikov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.12414},
year = {2022}
}
备注
8 pages, 4 figures