强自旋轨道相互作用薄膜中电子的库仑配对

Yasha Gindikin; Vladimir A. Sablikov

doi:10.1016/j.physe.2018.12.028

强自旋轨道相互作用薄膜中电子的库仑配对

强关联电子 2018-12-31 v2 介观与纳米尺度物理超导电性

作者: Yasha Gindikin , Vladimir A. Sablikov

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摘要

在具有强 Rashba 自旋轨道相互作用（SOI）的低维结构中，运动电子间的库仑场产生配对相互作用的 SOI 分量，其与库仑势排斥相竞争。若材料的 Rashba SOI 常数足够高，总电子-电子相互作用变为吸引的，从而导致双电子束缚态的形成。我们表明，由于薄膜中的介电屏蔽，其束缚能相比于体屏蔽情形显著更高。

关键词

库仑配对 Rashba 自旋轨道相互作用薄膜介电屏蔽双电子束缚态电子-电子相互作用

引用

@article{arxiv.1810.05144,
  title  = {Coulomb pairing of electrons in thin films with strong spin-orbit interaction},
  author = {Yasha Gindikin and Vladimir A. Sablikov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1810.05144},
  year   = {2018}
}